Optische Untersuchung ganzer 3 Zoll Wafer zur Optimierung von III-V Halbleiter-Quantenpunkten hergestellt mittels Molekularstrahlepitaxie

  • Mittels der Methode der gerasterten Photolumineszenzspektroskopie wurden an Halbleiter-Heterostrukturen verschiedene Einflussfaktoren durch Inhomogenitäten beim Wachstum mittels Molekularstrahlepitaxie untersucht. Durch die Vermessung von Quantentopfschichten, welche als Gradient aufgewachsen wurden, konnten die Abstrahlprofile der Effusionszellen bestimmt und für die Simulation des Schichtwachstums verwendet werden. Außerdem konnte durch die Untersuchung von zyklisch aufgewachsenen Quantenpunkt-Gradientenschichten eine Methodik zur Modellierung der lokalen Quantenpunktmorphologie und -dichte beschrieben werden. Es wurden verschiedene Einflussfaktoren auf das Wachstum von Quantenpunkten mit verspannungsreduzierenden Schichten untersucht. Durch Anwendung des zyklischen Gradientenwachstums konnte hierbei eine weitere Verschiebung zu längeren Wellenlängen erreicht werden.

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Metadaten
Author:Marcel SchmidtORCiDGND
URN:urn:nbn:de:hbz:294-92515
DOI:https://doi.org/10.13154/294-9251
Referee:Andreas D. WieckORCiDGND, Ulrich KöhlerGND
Document Type:Doctoral Thesis
Language:German
Date of Publication (online):2022/08/25
Date of first Publication:2022/08/25
Publishing Institution:Ruhr-Universität Bochum, Universitätsbibliothek
Granting Institution:Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Physik und Astronomie
Date of final exam:2022/07/13
Creating Corporation:Fakultät für Physik und Astronomie
GND-Keyword:Quantenpunkt; Quantenwell; Molekularstrahlepitaxie; Photolumineszenzspektroskopie; Halbleiter
Institutes/Facilities:Lehrstuhl für angewandte Festkörperphysik
Dewey Decimal Classification:Naturwissenschaften und Mathematik / Physik
faculties:Fakultät für Physik und Astronomie
Licence (German):License LogoKeine Creative Commons Lizenz - es gelten der Veröffentlichungsvertrag und das deutsche Urheberrecht