Herstellung und Charakterisierung von InAs-Quantenpunkten auf implantationsdotiertem GaAs (001)

In dieser Arbeit wird eine Technologie erarbeitet, mit der es möglich ist, einzelne MBE-gewachsene InAs-Quantenpunkte in einer GaAs-Matrix elektrisch zu kontaktieren. Dazu sind diese in einer vertikalen pin-Diode minimaler aktiver Fläche, einer sogenannten \(\mu\)-LED-Struktur, eingebettet. Hierbei ist eine spezielle Geometrie in Form von gekreuzten n- bzw. p-dotierten Streifen erforderlich, von denen der tiefer liegende Streifen durch Implantationsdotierung realisiert wird. Bei der Herstellung der \(\mu\)-LED müssen die InAs-Quantenpunkte daher auf implantierter Oberfläche abgeschieden werden. Ein Schwerpunkt der Arbeit ist daher das Wachstum von InAs-Quantenpunkten auf Si- bzw. Be-implantierter GaAs-Oberfläche. Es werden darüber hinaus \(\mu\)-LED-Strukturen mit aktiven Flächen kleiner \(1\mu m^{2}\) hergestellt, an denen Elektrolumineszenzmessungen an einzelnen Quantenpunkten erfolgen. Ein weiterer Schwerpunkt sind Kapazitätsmessungen an den Lochzuständen der InAs-Quantenpunkte und deren Interpretation.

Metadaten
Author:	Peter Schafmeister GND
URN:	urn:nbn:de:hbz:294-7730
Referee:	Andreas D. Wieck ORCiD GND, Josef Pelzl GND
Document Type:	Doctoral Thesis
Language:	German
Date of Publication (online):	2003/07/10
Date of first Publication:	2003/07/10
Publishing Institution:	Ruhr-Universität Bochum, Universitätsbibliothek
Granting Institution:	Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Physik und Astronomie
Date of final exam:	2003/04/28
Creating Corporation:	Fakultät für Physik und Astronomie
GND-Keyword:	Quantenpunkt; Elektrolumineszenz; Ionenimplantation; DLTS; Photolumineszenz
Institutes/Facilities:	Lehrstuhl für angewandte Festkörperphysik
Dewey Decimal Classification:	Naturwissenschaften und Mathematik / Physik
faculties:	Fakultät für Physik und Astronomie
Licence (German):	Keine Creative Commons Lizenz - es gelten der Veröffentlichungsvertrag und das deutsche Urheberrecht

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