Ballistischer Elektronentransport in nanoskaligen GaAs-Heterofeldeffektstrukturen
- Zweidimensionale Elektronengase (2DEG), basierend auf dem Materialsystem GaAs/AlGaAs dienen als Grundlage zur Herstellung von eindimensionalen Elektronengasen (1DEG). Neben einer theoretischen Übersicht ist auch die Realisierung durch die Nanolithografie mittels Raster-Kraft-Mikroskop und nachfolgender nasschemischer Behandlung dargestellt. Diese 1DEGs werden mit Hilfe von Lock-In- und Kryotechnik elektrisch charakterisiert. Die erzeugten 1DEGs zeigen ausgeprägte Stufen im Leitwert bei ganzzahligen Vielfachen von \(2e^{2}/h.\) Signaturen der Leitwertsquantisierung sind in der Steilheit bis zu \(\it T\) = 50 \(\it K\) sichtbar. Abschätzungen für den Grundzustand liefern Abstände der elektronischen 1D-Zustände von bis zu 20 \(\it meV\). An nanostrukturierten und mikrostrukturierten GaAs/AlGaAs-Systemen konnte eine Nullpunktsanomalie für differenziell bestimmte Kennlinien beobachtet werden. Messungen bei verschiedenen Temperaturen und im Magnetfeld legen nahe, dass es sich hier vermutlich um den Gurzhi-Effekt handelt.
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| Author: | Sven Skaberna |
|---|---|
| URN: | urn:nbn:de:hbz:294-16465 |
| Document Type: | Doctoral Thesis |
| Language: | German |
| Date of Publication (online): | 2006/07/12 |
| Date of first Publication: | 2006/07/12 |
| Publishing Institution: | Ruhr-Universität Bochum, Universitätsbibliothek |
| Granting Institution: | Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik |
| Date of final exam: | 2005/06/24 |
| Creating Corporation: | Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik |
| GND-Keyword: | Galliumarsenid; Quantenpunkt; Quantendraht; Transporteffekt |
| Dewey Decimal Classification: | Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften / Elektrotechnik, Elektronik |
| Licence (German): |  Keine Creative Commons Lizenz - es gelten der Veröffentlichungsvertrag und das deutsche Urheberrecht |
