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Sinan Ünlübayir

• Durch Modifizierung einer kommerziellen fokussierenden Ionenstrahlanlage (FIB), wurde eine Technik etabliert, welche das Ablegen (Deponieren) bzw. das Implantieren von Ionen mit variabler Energie zwischen 10eV und 30keV gestattet. Im niederenergetischen Betrieb werden die Ionen durch Anlegen einer Bremsspannung zwischen Probentisch und FIB-Säule von ursprünglich 30keV abgebremst, bevor sie auf der Probe auftreffen. Bei langsamen Ionen (<100eV) spricht man vom Deponieren der Ionen auf die Probenoberfläche, da die Eindringtiefe der Ionen sehr gering ist (typischerweise einige Nanometer, bis herunter zu Monolagen). Die FIB wurde über eine UHV-Schleuse mit einer III/V-Molekularstrahlepitaxieanlage (MBE) verbunden. Dies ermöglichte es, die deponierten Bereiche durch anschließenden Transfer der Probe in die MBE-Kammer, zu überwachsen. Mit dieser Methode wurden lateral aufgelöste flache Dotierschichten in GaAs bzw. AlGaAs eingebettet.
• This work includes the modification of a commercial focused ion beam (FIB) system to allow usage in a variable energy range from 30keV down to 10eV. To slow down the ions, a retarding field between the sample stage and the FIB column is applied. In case of slow ion implantation one can speak about deposition, because the depth of penetration is of the order of a few nanometer, down to a single monolayer. The FIB is connected with a ultra high vacuum lock to a III/V molecular beam epitaxy system (MBE). This enables us to overgrow the various implanted regions after transferring into the MBE chamber. With the usage of this technique we had embedded lateral, shallow doped regions into GaAs or AlGaAs.