Untersuchung des lokalen Tropfenätzens mit Metalltropfen auf (111)A-orientierten GaAs-Oberflächen mittels Molekularstrahlepitaxie und der dabei entstehenden Halbleiterheterostrukturen
- Das Lokale Tropfenätzen (LDE, eng. \(\textit {local droplet etching}\)) ist eine in situ Methode zur Nanostrukturierung von Halbleiteroberflächen. In der Arbeit wird ein Transfer dieser Technologie auf (111)A-orientierte GaAs-Oberflächen vollzogen. Der Transfer ist von Interesse, da solche Oberflächen die Herstellung von rotationssymmetrischen Nanostrukturen erlauben. Neben der Oberflächenmanipulation lassen sich mittels LDE ringförmige Halbleiterheteronanostrukturen aus Indiumgalliumarsenid sowie Quantenpunkte erzeugen. Diese werden in der Arbeit unter Einsatz von Photolumineszenz- und Kathodolumineszenzspektroskopie auf ihre Legierungszusammensetzung und energetische Struktur hin untersucht.
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| Author: | Julian RitzmannORCiDGND |
|---|---|
| URN: | urn:nbn:de:hbz:294-64698 |
| DOI: | https://doi.org/10.13154/294-6469 |
| Referee: | Andreas D. WieckORCiDGND, Ulrich KöhlerGND |
| Document Type: | Doctoral Thesis |
| Language: | German |
| Date of Publication (online): | 2019/06/04 |
| Date of first Publication: | 2019/06/04 |
| Publishing Institution: | Ruhr-Universität Bochum, Universitätsbibliothek |
| Granting Institution: | Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Physik und Astronomie |
| Date of final exam: | 2019/04/29 |
| Creating Corporation: | Fakultät für Physik und Astronomie |
| GND-Keyword: | Molekularstrahlepitaxie; InGaAs; Halbleiteroberfläche; Lumineszenzspektroskopie; Ätzen |
| Institutes/Facilities: | Lehrstuhl für angewandte Festkörperphysik |
| Dewey Decimal Classification: | Naturwissenschaften und Mathematik / Physik |
| faculties: | Fakultät für Physik und Astronomie |
| Licence (German): |  Keine Creative Commons Lizenz - es gelten der Veröffentlichungsvertrag und das deutsche Urheberrecht |
