Dotierung von Diamant durch MeV-Ionenimplantation
- Motivation ist die Nutzbarmachung der herausragenden Materialeigenschaften von Diamant für halbleitertechnologische Anwendungen. Der Gegenstand dieser Arbeit ist die gezielte Verunreinigung des Substrats durch die Bestrahlung mit Ionen hoher Energien. Der durch die Kristallschädigung erzeugte hohe Druck in der Tiefe begünstigt das Ausheilverhalten der Defekte bei der Temperung. Erstmalig werden auch Implantationen in geheizte Substrate (1200 $\textdegree$C) vorgestellt. Nach einer Beschreibung von Diamant folgt die Darstellung der für diese Arbeit wesentlichen theoretischen Grundlagen. Im Anschluss daran werden die experimentellen Verfahren erläutert. Das Ergebniskapitel behandelt im ersten Teil (5.1-5.3) die Bor-Implantationen, die elektrisch durch Vierpunktmessungen des Widerstands und des Halleffekts und strukturell durch RBS-Channeling, NRA und Raman-Spektroskopie charakterisiert werden. Der zweite Teil (5.4 u. 5.5) behandelt die Experimente zur n-Dotierung und zur Ionenstrahlsynthese.
Download full text files
Additional Services
| Author: | Thomas Vogel |
|---|---|
| URN: | urn:nbn:de:hbz:294-14129 |
| Referee: | Claus RolfsGND, Andreas D. WieckORCiDGND |
| Document Type: | Doctoral Thesis |
| Language: | German |
| Date of Publication (online): | 2005/08/16 |
| Date of first Publication: | 2005/08/16 |
| Publishing Institution: | Ruhr-Universität Bochum, Universitätsbibliothek |
| Granting Institution: | Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Physik und Astronomie |
| Date of final exam: | 2005/07/20 |
| Creating Corporation: | Fakultät für Physik und Astronomie |
| GND-Keyword: | Kohlenstoff; Hopping-Leitfähigkeit; Hall-Effekt; Bor; Leitfähigkeit |
| Institutes/Facilities: | Institut für Experimentalphysik III |
| Dewey Decimal Classification: | Naturwissenschaften und Mathematik / Physik |
| Licence (German): |  Keine Creative Commons Lizenz - es gelten der Veröffentlichungsvertrag und das deutsche Urheberrecht |
