Herstellung von lateral strukturierten zweidimensionalen Elektronengasen durch Überwachsen von implantationsdotiertem \(Al_{x}Ga_{1-x}As\)

  • In dieser Arbeit werden durch Kombination von Molekularstrahlepitaxie (MBE) und fokussierter Ionenstrahl (FIB) Implantation lateral strukturierte zweidimensionale Elektronengase (2DEGs) in einer \(Al_{x}Ga_{1-x}As\)/GaAs-Heterostruktur erzeugt. Dazu wird das MBE-Wachstum der Heterostruktur unterbrochen, um eine lateral ortsaufgelöste FIB Implantationsdotierung durchzuführen. Mit dieser Methode konnten flächige 2DEGs mit hohen Elektronenbeweglichkeiten bis zu \(1,6x10^{6}°cm^{2}/Vs\) hergestellt werden. Weiterhin wurden verschiedene ortsaufgelöste Strukturen allein durch Vorgabe des Implantationsmusters erzeugt, sodass auf ein Mesaätzen verzichtet werden konnte. Die erreichbare laterale Auflösung der 2DEGs beträgt mindestens 350°nm, wie die durchgeführten Untersuchungen gezeigt haben. Dies ist hinreichend, um an direkt implantierten dünnen elektronischen Kanälen eine magnetische Depopulation der eindimensionalen Subbänder zu beobachten.

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Metadaten
Author:Christof RiedeselGND
URN:urn:nbn:de:hbz:294-12525
Referee:Andreas D. WieckORCiDGND, Ulrich KöhlerGND
Document Type:Doctoral Thesis
Language:German
Date of Publication (online):2005/03/04
Date of first Publication:2005/03/04
Publishing Institution:Ruhr-Universität Bochum, Universitätsbibliothek
Granting Institution:Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Physik und Astronomie
Date of final exam:2004/07/05
Creating Corporation:Fakultät für Physik und Astronomie
GND-Keyword:Molekularstrukturepitaxie; Galliumarsenid; Heterostruktur; Ionenstrahllitographie; Elektronengas / Dimension 2
Institutes/Facilities:Institut für Experimentalphysik VI, Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik
Dewey Decimal Classification:Naturwissenschaften und Mathematik / Physik
faculties:Fakultät für Physik und Astronomie
Licence (German):License LogoKeine Creative Commons Lizenz - es gelten der Veröffentlichungsvertrag und das deutsche Urheberrecht