Konzepte zur lithographieunabhängigen Skalierung von vertikalen Kurzkanal-MOS-Feldeffekt-Transistoren und deren Bewertung

In der vorliegenden Arbeit werden ausgehend von der Diskussion der bekannten konventionellen planaren MOSFETs neuartige Konzepte für zukünftige vertikale MOSFETs vorgestellt. Ein Überblick über die internationalen Aktivitäten auf dem Gebiet der vertikalen MOSFETs beinhaltet eine Gliederung und Bewertung der existierenden Transistorkonzepte und eine Einordnung des in dieser Arbeit unter anderem bearbeiteten Double-Gate-Konzeptes. Anhand von Simulationen wird der Einfluß verschiedener Parameter wie Kanaldotierung, Kanaldicke und Oxiddicke auf das elektrische Verhalten der Double-Gate-MOSFETs untersucht. Die unterschiedlichen vertikalen MOSFETs konnten schließlich in einer industriellen Produktionsumgebung realisiert und charakterisiert werden. Neben den konventionellen Anwendungsbereichen wie DRAM bzw. EEPROM-Zellen werden auch neue Einsatzgebiete von vertikalen bzw. Double-Gate-MOSFETs aufgezeigt. Im Anhang werden abschließend Ansätze zu analytischen Modellen diskutiert.

Metadaten
Author:	Thomas Schulz
URN:	urn:nbn:de:hbz:294-4177
Referee:	Ulrich Langmann GND, Wolfgang Krautschneider GND
Document Type:	Doctoral Thesis
Language:	German
Date of Publication (online):	2003/03/18
Date of first Publication:	2003/03/18
Publishing Institution:	Ruhr-Universität Bochum, Universitätsbibliothek
Granting Institution:	Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Date of final exam:	2001/11/23
Creating Corporation:	Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
GND-Keyword:	n-Kanal-FET; MOS; SOI-Technik; Dynamisches RAM; EEPROM
Dewey Decimal Classification:	Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften / Elektrotechnik, Elektronik
Licence (German):	Keine Creative Commons Lizenz - es gelten der Veröffentlichungsvertrag und das deutsche Urheberrecht

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