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Yu-Ying Hu

• This thesis provides a successful approach to control the surface distribution of self-assembled quantum dots in order to investigate single quantum dot spectroscopy. InAs quantum dots were grown inside self-patterned GaAs nanoholes with high crystal qualities via a site-selective growth by molecular beam epitaxy. The self-patterned nanoholes were generated with low densities by droplet epitaxy, which present a random distribution or an organized arrangement when an \(\textit {in-situ}\) focused ion beam pre-patterning was employed for the latter. The energy level structures characterized by photoluminescence spectroscopy depend on the size, shape and composition of quantum dots, which are influenced by the InAs coverage and the properties of GaAs nanoholes as well.
• Die vorliegende Arbeit liefert einen erfolgreichen Ansatz, um die Verteilung von selbstorganisierten Quantenpunkten zu kontrollieren. Dies ermöglicht insbesondere die Spektroskopie an einzelnen Quantenpunkten. InAs-Quantenpunkte wurden mit hoher kristalliner Qualität innerhalb von selbstorganisierten GaAs-Nanolöchern über positionsselektives Wachstum mittels Molekularstrahlepitaxie hergestellt. Die selbstorganisierten Nanolöcher geringer Flächendichte wurden mittels Tröpfchen-Epitaxie erzeugt und weisen eine zufällige Verteilung auf. Mit Hilfe der \(\textit {in-situ}\) Verwendung von fokussierten Ionenstrahlen zur Vorstrukturierung konnten die Nanolöcher positioniert werden. Die Struktur der Energieniveaus, zu deren Charakterisierung die Photolumineszenzspektroskopie herangezogen wurde, hängt von Größe, Form und Zusammensetzung der Quantenpunkte ab, was wiederum durch die InAs-Bedeckung und die Eigenschaften der GaAs-Nanolöcher beeinflusst wird.