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Wolfram Rogge

• Die Arbeit untersucht die Bandbreite möglicher Anwendungen von intramolekular donorstabilisierten Azido-Verbindungen als Einkomponentenvorstufen für GaN und InN mit besonderer Fokussierung auf das Azidogallan \((N_{3})_{2}Ga[(CH_{2})_{3}NMe_{2}\)] Baziga. Es wird der Versuch unternommen die Ga- und In-Azide in verbesserter Reinheit und in größeren Mengen zu synthetisieren. Zum besseren Verständnis des Verhaltens dieser Precursoren im Verdampfer und während des Stofftransportes im Reaktor während des MOVPE Prozesses findet ein Studium der thermischen Eigenschaften unter diesen Bedingungen statt und die Dampfdrücke und Verdampfungsraten werden bestimmt. Ein weiteres Ziel war die Ermittlung, ob prinzipiell in einem einfachen, selbstgebauten Kaltwandsystem mit \((N_{3})_{2}Ga[(CH_{2})_{3}NMe_{2}\)] (Baziga) epitaktische GaN-Filme herstellbar sind. Der Einfluß von Druck, Temperatur und NH3-Anteil auf das Filmwachstum wird mit XRD, REM, AFM und PL untersucht. So wurden erstmals lumineszierende GaN Filme mit einer Einkomponentenvorstufe ohne NH3 hergestellt. Ebenfalls wird getestet, ob das Prinzip der Gasphasenabscheidung auf die Füllung von Poren poröser Matrizes über die Gasphase (CVI) auf das Material GaN im Molekularsieb MCM-41 mittels des single-source Precursors Baziga anwendbar ist.