Optimierung einer III-V Molekularstrahl-Epitaxie Anlage, Wachstum und
Charakterisierung von GaAs-basierten Heterostrukturen
- Die Molekularstrahlepitaxie (MBE) eignet sich hervorragend zur Herstellung dünner kristalliner Materialschichten extrem hoher Qualität und Reinheit, wobei das aus thermisch geheizten Quellen verdampfte Material auf einem Substrat epitaktisch unter UHV-Bedingungen abgeschieden werden kann.
Eins der Ziele dieser Arbeit ist die Weiterentwicklung, sowie der Aufbau und Inbetriebnahme einer neuartigen, As-basierten III-V MBE-Anlage.
Der Schwerpunkt der Arbeit liegt in der Herstellung und Untersuchung von AlGaAs/GaAs-Heterostrukturen. Es sollten zweidimensionale Elektron- bzw. Löchergase mit hoher Beweglichkeit der Ladungsträger in sowohl modulationsdotierten, als auch induzierten Hetrostrukturen mittels MBE-Wachstum erzeugt werden. Außerdem sollte das Thema der Integration von III-V Halbleiter auf Si/Ge-Basis anhand von optischer und elektrischer Aktivität der in eine GaAs-Matrix eingebetteten InAs-Quantenpunkte, gewachsen auf Ge(100)-Substraten, weiter entwickelt werden.
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