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Mirja Richter

• The aim of this work was to study and alter the energetic level structure of self-assembled InAs quantum dots by overgrowth with different cap layers. The influence of (In,Ga)As cap layers on the level structure of self-assembled InAs quantum dots was studied by capacitance-voltage spectroscopy. The red shift of the ground state emission as compared to GaAs capping was found to originate mainly from the conduction band states. With (In,Ga)(As,N) capping, emission up to 1.52 \(\mu\)m was demonstrated. After rapid thermal annealing, highest quality emission was found up to 1.45 \(\mu\)m. Additionally, InAs quantum dots were integrated into a newly developed light emitting diode whose active region was reduced by insulation writing with focussed ion beams to achieve electroluminescence from few quantum dots only. Altogether, first steps were taken towards single photon emission at the most efficient telecommunication wavelengths.
• Ziel dieser Arbeit war es, die Energieniveaus von selbstorganisierten InAs Quantenpunkten durch Überwachsen mit verschiedenen Deckschichten zu modifizieren. Der Einfluss von (In,Ga)As Deckschichten auf die Energieniveaus der Quantenpunkte wurde mittels Kapazitäts-Spannungsspektroskopie untersucht. So konnte gezeigt werden, dass die Rotverschiebung der Grundzustandsemission verglichen mit GaAs Deckschichten größtenteils von den Leitungsbandzuständen stammt. Mit (In,Ga)(As,N) Deckschichten wurde eine Emissionswellenlänge von 1,52 \(\mu\)m demonstriert. Nach schnellem thermischem Ausheilen wurde Emission höchster Qualität bis 1,45 \(\mu\)m erreicht. Weiterhin wurden InAs Quantenpunkte in eine neu entwickelte Leuchtdiode integriert, deren aktiver Bereich durch Isolationsschreiben mit fokussierten Ionenstrahlen verringert wurde, um Elektrolumineszenz von nur wenigen Quantenpunkten zu erhalten. Insgesamt wurden erste Schritte zur Einzelphotonenemission bei Telekommunikationswellenlängen unternommen.