PECVD-deposition and characterisation of C-Si thin film systems on metals

Die direkte Beschichtung einiger Metalle mit DLC-Schichten ist aufgrund fehlender chemischer Bindung zwischen Metall und Kohlenstoff nicht möglich. Durch Verwendung einer dünnen Zwischenschicht aus amorphem Silizium (a-Si:H) wird die Beschichtung verschiedener Metalle mit einer Verschleißschutzschicht aus DLC ermöglicht. Die Haftvermittlung kommt durch Bildung stabiler Silizide am Interface Metall-Silizium zustande. Die Schichten werden mittels Plasma-unterstützter chemischer Dampfabscheidung (PECVD) auf dem Substrat abgeschieden und umfassend hinsichtlich optischer Eigenschaften und Wasserstoffgehalt untersucht. Das Schichtsystem aus DLC und a-Si:H zeigt exzellente Haftung auf allen verwendeten Metallen und zeichnet sich durch eine hohe Belastbarkeit aus. Das Schichtsystem ist sehr verschleißfest und dehnungstolerant. Gezeigt wird außerdem, dass die amorphe Siliziumschicht die in der DLC-Schicht herrschenden inneren Spannungen teilweise kompensiert, was die Haftung weiter verbessert.

Metadaten
Author:	Janine-Christina Schauer GND
URN:	urn:nbn:de:hbz:294-19552
Referee:	Jörg Winter GND, Peter Awakowicz ORCiD GND
Document Type:	Doctoral Thesis
Language:	English
Date of Publication (online):	2007/07/10
Date of first Publication:	2007/07/10
Publishing Institution:	Ruhr-Universität Bochum, Universitätsbibliothek
Granting Institution:	Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Physik und Astronomie
Date of final exam:	2007/06/11
Creating Corporation:	Fakultät für Physik und Astronomie
GND-Keyword:	Dünne Schicht; Verschleißschutz; Diamantähnlicher Kohlenstoff; PECVD-Verfahren; Haftvermittler
Institutes/Facilities:	Institut für Experimentalphysik II
Dewey Decimal Classification:	Naturwissenschaften und Mathematik / Physik
faculties:	Fakultät für Physik und Astronomie
Licence (German):	Keine Creative Commons Lizenz - es gelten der Veröffentlichungsvertrag und das deutsche Urheberrecht

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