Untersuchung des Einflusses parasitärer Substratverkopplungen in schnellen integrierten Silizium-Bipolarschaltungen

In der Arbeit wird der Einfluß von Substratkopplungen auf die Eigenschaften von schnellen Bipolarschaltungen unter Berücksichtigung der parasitären Induktivitäten des Chips und der Aufbautechnik untersucht. Durch Simulationen und Messungen aufgebauter passiver Teststrukturen wird nachgewiesen, daß Abschirmungen gegen die Substratkopplung bei hohen Frequenzen durch den Einfluß parasitärer Induktivitäten ihre Wirksamkeit verlieren. Zur praxisnahen Demonstration der Substratkopplung wurde ein Transimpedanzverstärker (Datenrate: 30 Gbit/s, Transimpedanz: 25 k\(\Omega\)) in einer SiGe-Bipolartechnologie entworfen. Nachdem parasitäre Kopplungen über die Schaltungselemente im Entwurf bereits hinreichend stark reduziert wurden, verbleibt das Substrat als dominierender Kopplungspfad. Eine Realisierung wird nur möglich, wenn der Substrateinfluß durch geeignete Maßnahmen unterdrückt wird, deren Wirksamkeit durch Simulationen und Messungen an aufgebauten Verstärker-Chips nachgewiesen wird.

Metadaten
Author:	Wolfgang Steiner
URN:	urn:nbn:de:hbz:294-19224
Referee:	Hans-Martin Rein GND, Jürgen Oehm GND
Document Type:	Doctoral Thesis
Language:	German
Date of Publication (online):	2007/06/06
Date of first Publication:	2007/06/06
Publishing Institution:	Ruhr-Universität Bochum, Universitätsbibliothek
Granting Institution:	Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Date of final exam:	2006/06/13
Creating Corporation:	Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
GND-Keyword:	Halbleitersubstrat; Kopplung (Elektronik); Störunterdrückung; Breitbandverstärker; Integrierte Bipolarschaltung
Dewey Decimal Classification:	Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften / Elektrotechnik, Elektronik
Licence (German):	Keine Creative Commons Lizenz - es gelten der Veröffentlichungsvertrag und das deutsche Urheberrecht

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