Optoelektronische Bauelemente durch fokussierende Ionenprojektion

  • Erstmalig konnten weiß emittierende LEDs in Silizium durch Implantation mit einem fokussierten Ionenstrahl erzeugt werden. Ihre Nanostrukturierung erlaubt eine fast beliebige geometrische Formung des Emissionsmusters. Die LEDs wurden elektronisch und optisch charakterisiert und ihre Eigenschaften werden in qualitativer und quantitativer Weise diskutiert. Die elektronischen Eigenschaften der LEDs können sehr gut modelliert werden. Nach den aus Messungen bestimmten optoelektronischen Eigenschaften kann als gesichert angesehen werden, daß die strahlende Abregung "heißer" Ladungsträger aus dem pn-Übergang zur Emission beiträgt. Ein weiterer Beitrag wird dem hohen Sauerstoffgehalt des Substrats zugeordnet, der Ladungsträger-Rekombinationen an den Grenzflächenzuständen von Si- und \(SiO_{2}\)-Nanokristalliten ermöglicht. Durch Erbium-Implantation konnte ein Prototyp hergestellt werden, dessen Emission mit 1,5 \(\mu\)m Wellenlänge sich zur Anwendung in der Glasfaserkommunikation eignet.

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Metadaten
Author:Heiner RöckenGND
URN:urn:nbn:de:hbz:294-5318
Subtitle (German):nanostrukturierte weiße Silizium-Leuchtdioden für Raumtemperaturbetrieb
Referee:Claus RolfsGND, Andreas D. WieckORCiDGND
Document Type:Doctoral Thesis
Language:German
Date of Publication (online):2003/03/18
Date of first Publication:2003/03/18
Publishing Institution:Ruhr-Universität Bochum, Universitätsbibliothek
Granting Institution:Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Physik und Astronomie
Date of final exam:2002/05/16
Creating Corporation:Fakultät für Physik und Astronomie
GND-Keyword:Festkörperphysik; Halbleiter; SIMOX; pn-Übergang; Heißes Elektron
Institutes/Facilities:Institut für Experimentalphysik III
Dewey Decimal Classification:Naturwissenschaften und Mathematik / Physik
faculties:Fakultät für Physik und Astronomie
Licence (German):License LogoKeine Creative Commons Lizenz - es gelten der Veröffentlichungsvertrag und das deutsche Urheberrecht