Optical Feedback

  • Die Wechselwirkung von starken Rückreflexen mit GaAs-basierenden Hochleistungslaserdioden wurde untersucht. Insbesondere wurden die Zerstörschwelle und die Veränderung der opto-elektrischen Eigenschaften bei unterschiedlichen Belastungen betrachtet. Zur Quantifizierung der Rückreflex-Leistung am Ort des Emitters wurde ein paraxiales Strahlmodell entwickelt. Durch Langzeitversuche und eine Analyse der Halbleiter konnten ein Zusammenhang zwischen einer reduzierten Lebensdauer und Halbleiterdefekten gefunden werden. Das Defektwachstum ließ sich außerdem durch seine Position im Halbleiter charakterisieren. Die Ausbreitung der Halbleiterdefekte spiegelte sich auch in den Veränderungen der opto-elektrischen Eigenschaften der Laserdiode wider. Diese Arbeit liefert Erkenntnisse, die für einen effektiven Schutz von Lasersystemen im industriellen Einsatz zur Erhöhung ihrer Robustheit und Zuverlässigkeit genutzt werden können.

Download full text files

Export metadata

Additional Services

Share in Twitter Search Google Scholar
Metadaten
Author:Dennis BonsendorfGND
URN:urn:nbn:de:hbz:294-48092
Subtitle (German):Laserdioden-Systeme mit Rückreflexen
Referee:Andreas OstendorfORCiDGND, Reinhart PopraweGND
Document Type:Doctoral Thesis
Language:German
Date of Publication (online):2016/04/26
Date of first Publication:2016/04/26
Publishing Institution:Ruhr-Universität Bochum, Universitätsbibliothek
Granting Institution:Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Maschinenbau
Date of final exam:2016/02/05
Creating Corporation:Fakultät für Maschinenbau
GND-Keyword:Laserdiode; Halbleiter; Lebensdauer; Degradation; Quantifizierung
Institutes/Facilities:Lehrstuhl für Laseranwendungstechnik
Dewey Decimal Classification:Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften / Ingenieurwissenschaften, Maschinenbau
faculties:Fakultät für Maschinenbau
Licence (German):License LogoKeine Creative Commons Lizenz - es gelten der Veröffentlichungsvertrag und das deutsche Urheberrecht