Solidification kinetics versus wetting kinetics relevant to Ribbon Growth on Substrate (RGS) casting of Silicon
- Siliziumtropfen wurden in einem elektromagnetischen Feld geschmolzen und anschließend auf ein kaltes Substrat freigegeben, um die Verhältnisse zwischen Benetzungs- und Erstarrungskinetik während der Ausbreitung des Siliziumtropfens zu untersuchen. Mittels einer Hochgeschwindigkeitskamera wurde sowohl das Kristallwachstum als auch die Ausbreitung des Tropfens aufgenommen und mit kinetischen Modellen verglichen. Diese Untersuchung ist wichtig zum Verständnis des RGS Gießprozesses (RGS: ribbon growth on substrate). Bei diesem Verfahren werden Silizium und Siliziumlegierungen zur Kristallisation in Kontakt gebracht mit bewegenden Substraten, so dass sich Schichten bilden, die als Material für Solarzellen oder thermoelektrische Generatoren dienen können. Diese Arbeit hat einen wichtigen Beitrag geliefert zum Verständnis der Substrat- Kristallisationsschnittstelle und hat in einer praktischen Anwendung zur Entwicklung eines neuen Solarzellenmaterials geführt mit verbesserten Wirkungsgrad.
Author: | Pierre-Yves PichonGND |
---|---|
URN: | urn:nbn:de:hbz:294-46515 |
Referee: | Dieter M. HerlachORCiDGND, Andreas D. WieckORCiDGND |
Document Type: | Doctoral Thesis |
Language: | English |
Date of Publication (online): | 2016/03/03 |
Date of first Publication: | 2016/03/03 |
Publishing Institution: | Ruhr-Universität Bochum, Universitätsbibliothek |
Granting Institution: | Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Physik und Astronomie |
Date of final exam: | 2015/06/25 |
Creating Corporation: | Fakultät für Physik und Astronomie |
GND-Keyword: | Silicium; Erstarrung; Kristallwachstum; Benetzung; Sonnenbatterie |
Institutes/Facilities: | Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt, Institut für Materialphysik im Weltraum |
Dewey Decimal Classification: | Naturwissenschaften und Mathematik / Physik |
faculties: | Fakultät für Physik und Astronomie |
Licence (German): | Keine Creative Commons Lizenz - es gelten der Veröffentlichungsvertrag und das deutsche Urheberrecht |